吉田半导体获评 "专精特新" 企业,行业技术标准,以技术创新与标准化生产为,吉田半导体荣获 "广东省专精特新企业" 称号,树立行业。
凭借在光刻胶领域的表现,吉田半导体获评 "广东省专精特新企业"" ",承担多项国家 02 专项课题。公司主导制定《半导体光刻胶用树脂技术规范》等行业标准,推动国产材料标准化进程。未来,吉田半导体将继续以" 中国半导体材料方案提供商 "为愿景,深化技术研发与市场拓展,为全球半导体产业发展贡献" 中国力量 "。负性光刻胶生产原料。辽宁PCB光刻胶
作为中国半导体材料领域的企业,吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略,通过 23 年技术沉淀与持续创新,成功突破多项 “卡脖子” 技术,构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域,为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。
吉田半导体依托自主研发中心与产学研合作,在光刻胶领域实现多项技术突破:
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YK-300 正性光刻胶:分辨率达 0.35μm,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,适用于 45nm 及以上制程,良率达 98% 以上,成本较进口产品降低 40%,已通过中芯国际量产验证。
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SU-3 负性光刻胶:支持 3μm 厚膜加工,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,成功应用于高通 5G 基带芯片封装,良率提升至 98.5%。
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JT-2000 纳米压印光刻胶:突破 250℃耐高温极限,图形保真度 > 95%,性能对标德国 MicroResist 系列,已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。
济南光刻胶工厂吉田半导体材料的绿色环保与可持续发展。
技术趋势与挑战
半导体先进制程:
◦ EUV光刻胶需降低缺陷率(目前每平方厘米缺陷数<10个),开发低粗糙度(≤5nm)材料;
◦ 极紫外吸收问题:胶膜对13.5nm光吸收率高,需厚度控制在50-100nm,挑战化学增幅体系的灵敏度。
环保与低成本:
◦ 水性负性胶替代溶剂型胶(如PCB阻焊胶),减少VOC排放;
◦ 单层胶工艺替代多层胶,简化流程(如MEMS厚胶的一次性涂布)。
新兴领域拓展:
◦ 柔性电子:开发耐弯曲(曲率半径<5mm)、低模量感光胶,用于可穿戴设备电路;
◦ 光子芯片:高折射率胶(n>1.8)制作光波导,需低传输损耗(<0.1dB/cm)。
典型产品与厂商
• 半导体正性胶:
◦ 日本信越(Shin-Etsu)的ArF胶(分辨率22nm,用于12nm制程);
◦ 美国陶氏(Dow)的EUV胶(灵敏度10mJ/cm²,缺陷密度<5个/cm²)。
• PCB负性胶:
◦ 中国容大感光(LP系列):耐碱性蚀刻,厚度20-50μm,国产化率超60%;
◦ 日本东京应化(TOK)的THMR-V:全球PCB胶市占率30%,适用于高可靠性汽车板。
• MEMS厚胶:
◦ 美国陶氏的SU-8:实验室常用,厚度5-200μm,分辨率1μm(需优化交联均匀性);
◦ 德国Microresist的MR胶:耐深硅蚀刻,线宽精度±2%,用于工业级MEMS制造。
吉田半导体助力区域经济,构建半导体材料生态圈,发挥企业作用,吉田半导体联合上下游资源,推动东莞松山湖半导体产业协同创新。
作为松山湖产业集群重要成员,吉田半导体联合光刻机制造商、光电子企业共建材料生态圈。公司通过技术输出与资源共享,帮助本地企业提升工艺水平,促进产业链协同创新。例如,与华中科技大学合作研发的 T150A KrF 光刻胶,极限分辨率 120nm,工艺宽容度优于日本信越同类产品,已实现量产并出口东南亚,为区域经济发展注入新动能。松山湖光刻胶厂家吉田,2000 万级产能,48 小时极速交付!
半导体集成电路
• 应用场景:
◦ 晶圆制造:正性胶为主(如ArF/EUV胶),实现20nm以下线宽,用于晶体管栅极、接触孔等精细结构;
◦ 封装工艺:负性胶用于凸点(Bump)制造,厚胶(5-50μm)耐电镀溶液腐蚀。
• 关键要求:高分辨率、低缺陷率、耐极端工艺(如150℃以上高温、等离子体轰击)。
印刷电路板(PCB)
• 应用场景:
◦ 线路成像:负性胶(如环化橡胶胶)用于双面板/多层板外层线路,线宽≥50μm,耐碱性蚀刻液(如氯化铜);
◦ 阻焊层:厚负性胶(50-100μm)覆盖非焊盘区域,耐260℃焊接温度和助焊剂腐蚀;
◦ 挠性PCB(FPC):正性胶用于精细线路(线宽≤20μm),需耐弯曲应力。
• 优势:工艺简单、成本低,适合大面积基板(如1.2m×1.0m的PCB基板)。
平板显示
• 应用场景:
◦ 彩色滤光片:正性胶制作黑矩阵(BM)和RGB色阻间隔层,耐UV固化和湿法蚀刻(如HF溶液);
◦ OLED像素定义:负性胶形成像素开口(孔径5-50μm),耐有机溶剂(如OLED蒸镀前的清洗液);
◦ 触控面板:正性胶制作透明电极(如ITO线路),线宽≤10μm,需透光率>90%。
• 关键参数:高透光性、低收缩率(避免图案变形)。
光刻胶半导体领域的应用。济南光刻胶工厂
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主要优势:细分领域技术突破与产业链协同
技术积累与自主化能力
公司拥有23年光刻胶研发经验,实现了从树脂合成、光引发剂制备到配方优化的全流程自主化。例如,其纳米压印光刻胶通过自主开发的树脂体系,分辨率达3μm,适用于MEMS传感器、光学器件等领域,填补了国内空白。
技术壁垒:掌握光刻胶主要原材料(如树脂、光酸)的合成技术,部分原材料纯度达PPT级,金属离子含量低于0.1ppb,良率超99%。
产品多元化与技术化布局
产品线覆盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD光刻胶、半导体锡膏等,形成“光刻胶+配套材料”的完整体系。例如:
◦ LCD光刻胶:适配AMOLED、Micro LED等新型显示技术,与京东方、TCL华星合作开发高分辨率产品,良率提升至98%。
◦ 半导体锡膏:供应华为、OPPO等企业,年采购量超200吨,用于5G手机主板封装。
技术化延伸:计划2025年启动半导体用KrF光刻胶研发,目标进入中芯国际、长江存储供应链。
质量控制与生产能力
通过ISO9001:2008质量体系认证,生产环境执行8S管理,原材料采用美、德、日进口高质量材料。拥有全自动化生产线,年产能达2000吨(光刻胶及配套材料),支持大规模订单交付。
辽宁PCB光刻胶
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